晶圓代工大廠三星宣布，正式開始使用其7納米LPP制程制來(lái)生產(chǎn)晶圓。三星的7納米LPP制程中使用極紫外光刻（EUV）技術(shù)，這將使三星7納米LPP制程能夠明顯提升芯片內(nèi)的電晶體密度，同時(shí)優(yōu)化其功耗。此外，EUV技術(shù)的使用還能使客戶減少每個(gè)芯片所需的光罩?jǐn)?shù)量，在降低生產(chǎn)成本下，還能縮短其生產(chǎn)的時(shí)間。
三星表示，7納米LPP制程在同樣的復(fù)雜度下，相較前一代的10納米FinFET制程，可以減少40%的芯片面積，同時(shí)降低50%的功耗，并且使效能提升提高20%。另外，在生產(chǎn)成本上面，因?yàn)?納米LPP制程加入了EUV技術(shù)，在采用13.5nm波長(zhǎng)來(lái)曝光硅晶圓的情況下，相較過(guò)去采用193nm波長(zhǎng)來(lái)進(jìn)行曝光的傳統(tǒng)的氟化氬（ArF）浸沒技術(shù)，EUV技術(shù)只需要單個(gè)光罩就能完成單層硅晶圓的曝光，而傳統(tǒng)ArF則需要4個(gè)光罩來(lái)處理。所以，7納米LPP制程不僅降低了生產(chǎn)成本，還縮短了生產(chǎn)時(shí)間。
三星進(jìn)一步指出，三星發(fā)展EUV技術(shù)開始于2000年代，透過(guò)三星與領(lǐng)先業(yè)界的設(shè)備供應(yīng)商進(jìn)行合作，在其生產(chǎn)設(shè)施中設(shè)計(jì)和安裝全新設(shè)備，以確保EUV技術(shù)生產(chǎn)下的晶圓穩(wěn)定性。目前，最初的EUV技術(shù)生產(chǎn)制程已經(jīng)在三星位于韓國(guó)華城的S3 Fab開始，而到2020年之際，三星希望透過(guò)內(nèi)建EUV技術(shù)的新制程，為需要大量生產(chǎn)下一代芯片的IC設(shè)計(jì)業(yè)者提供更大的產(chǎn)能。而且，三星還因?yàn)閷?dǎo)入EUV技術(shù)，進(jìn)一步開發(fā)了專有設(shè)備。例如獨(dú)特的光罩檢測(cè)工具，可在EUV光罩中執(zhí)行早期缺陷檢測(cè)，使得可以在制造生產(chǎn)的早期消除缺陷，提升良率。
三星還表示，新一代的7納米LPP制程將瞄準(zhǔn)包括5G、人工智能、企業(yè)和超大規(guī)模資料中心、物聯(lián)網(wǎng)、汽車和網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用的需求。此外，三星的Advanced Foundry Ecosyste也為導(dǎo)入內(nèi)建EUV技術(shù)的7納米LPP制程做好了準(zhǔn)備。也就是，整個(gè)產(chǎn)業(yè)的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴，將提供包括基礎(chǔ)和高級(jí)IP、高級(jí)包裝和服務(wù)，以使三星客戶能夠在這個(gè)新平臺(tái)上開發(fā)他們的產(chǎn)品。
目前，提供這些服務(wù)的廠商包括Ansys、Arm、Cadence、Mentor、SEMCO、Synopsys和VeriSilicon等，供應(yīng)包括HBM2/2E、GDDR6、DDR5、USB 3.1、PCIe 5.0和112G SerDes等介面IP解決方案。
不過(guò)，三星這次沒有透露其首個(gè)采用其7納米LPP制程的客戶名稱，僅表示使用新制程的第一批芯片將會(huì)是針對(duì)行動(dòng)和HPC應(yīng)用為主。不過(guò)，依照過(guò)去的經(jīng)驗(yàn)，三星電子會(huì)是半導(dǎo)體代工部門的第一個(gè)采用新制程技術(shù)的客戶。
因此，預(yù)計(jì)到2019年，三星將會(huì)將推出一款智能手機(jī)使用的自有品牌7納米制程處理器。此外，目前三星代工事業(yè)的重要客戶高通，預(yù)計(jì)也將會(huì)采用新的7納米LPP制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)“Snapdragon 5G”移動(dòng)處理器。
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